指日，韩国媒体ZDNetKorea报道称，三星电子与中国存储芯片厂商长江存储杀青了一项史籍性配合，签订了开采堆叠400多层NAND Flash所需的“搀杂键合”（Hybrid Bonding）手艺专利许可合同。这一动作象征着三星策画正在其第10代V-NAND产物上（即430层的NAND Flash）采用长江存储的专利手艺，意味着三星正在 NAND Flash 临盆工艺中正正在面对着手艺和专利壁垒的强大挑衅。

　　该合同的杀青是由于长江存储正在搀杂键合手艺方面已处于环球当先身分，而且三星也认识到正在来日的NAND产物开采中无规则避长江存储的专利影响。搀杂键合手艺正在3D NAND的筑造中变得越来越紧急，极端是跟着层数的擢升，这种手艺不光能够降低存储密度，还能明显消重功耗，从而擢升团体功能。

　　正在过去的古板3D NAND筑造中，时时是将CMOS电道与NAND阵列分裂筑造，变成了芯单方积的虚耗，跟着层数的增补，表围电道所占芯单方积也会愈加重大。而长江存储正在2018年推出的Xtacking手艺则通过CBA（CMOS Bonded Array）架构改革了这一近况，将CMOS逻辑电道堆叠正在NAND阵列之上。此举不光降低了存储密度，还消重了筑造纷乱度和本钱，使得长江存储正在手艺上完成了超越式开展。

　　目前，长江存储的Xtacking手艺曾经完成了160层、192层和232层的凯旋量产，以至正在2023年早期，长江存储还凯旋施行了270层3DTLC NAND的贸易化。而依据TechInsights的最新叙述，长江存储的2yy 3D NAND曾经是商场上存储密度最高的NAND产物。

　　而正在这场激烈的手艺竞赛中，古板的NAND Flash巨头如三星、SK海力士和美光等厂商正在手艺转型上显得有所鲁钝。固然它们正在古板单片晶圆临盆方面有深重的手艺堆集，但转向CBA架构所需的新投资和筑立，让这些古板大厂正在迈向搀杂键合手艺的道道上行为维艰。三星的最新策画显示，其CBA架构的V-NAND产物估计要到2026年（最速2025岁终）才气量产400层的NAND Flash。

　　即使受到表部种种局限，长江存储仍旧依靠其强壮的研发才气与手艺改进才气，站正在了行业的前线。这回三星与长江存储的配合，不光是三星寻求手艺打破的紧急一步，更是中国存储工业开展的紧急里程碑，象征着长江存储的改进手艺取得了国际商场的承认。

　　然而，跟着竞赛的加剧，来日正在3D NAND周围，长江存储若何仍旧其手艺上风，以及其他筑造商若何正在专利壁垒下寻求改进，是来日值得合怀的中央。对待消费者而言，手艺的先进最终将转化为更高效力的存储产物，这意味着更速的读写速率和更低的能耗，为各行各业的数字化转型供给根底接济。